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BFR 193W E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：12V; 频率_转换：8GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：10.5dB ~ 16dB; 功率_最大：580mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 30mA，8V; 电流_集电极333Ic444（最大）：80mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：PG-SOT323-3; 包装：带卷 (TR)

BFR 193W E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：12V; 频率_转换：8GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：10.5dB ~ 16dB; 功率_最大：580mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 30mA，8V; 电流_集电极333Ic444（最大）：80mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：PG-SOT323-3; 包装：剪切带 (CT)

BFR 193W E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：12V; 频率_转换：8GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：10.5dB ~ 16dB; 功率_最大：580mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 30mA，8V; 电流_集电极333Ic444（最大）：80mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：PG-SOT323-3; 包装：Digi-Reel®

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B32652A7223K289
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 22NF 10% 1250V MKP
B43508B5277M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V
BMI-S-203-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.032X1.032" FRAME
BFR 193 E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
B32520C6682J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 6800PF 400VDC RADIAL
B37979G5821J051
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 820PF 50V 5% RADIAL
B32672L1882J
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 8.8NF 5% 600VAC MKP
B32652A7273J
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 27NF 5% 1250V MKP
BMI-S-203-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.032X1.032" FRAME
B37979N1100J054
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 10PF 100V 5% RADIAL
B32520C6682J189
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0068UF 5% 400V
B32672L223J
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 22NF 5% 1000VDC MKP
B43508B5277M60
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V
BMI-S-204-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.26X1.26" FRAME
B32652A7333J000
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.033UF 1.25KVDC RADIAL